書誌事項
- タイトル別名
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- Detection of Individual Dopant Atoms and Clusters in the Doped Silicon Crystal
- シリコン ケッショウ チュウ ドーパント ゲンシ クラスター ノ ケンシュツ
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抄録
<p>シリコン結晶中にドーパント・クラスターが生成し,電子物性に影響を与えることが指摘されている.このクラスターを解明するには,原子レベルの3次元観察が必要である.近年,収差補正電子顕微鏡の開発により無収差の大収束角をもつ電子線プローブが実現し,空間分解能の向上だけでなく,深さ分解能の向上が期待されている.R005を用いて,6員環内のお互いに向かい合った原子位置にドーパントが入ったクラスター構造を観察した.</p>
収録刊行物
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- 顕微鏡
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顕微鏡 45 (4), 268-272, 2010-12-30
公益社団法人 日本顕微鏡学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390283659843267072
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- NII論文ID
- 10031144714
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- NII書誌ID
- AA11917781
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- ISSN
- 24342386
- 13490958
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- NDL書誌ID
- 10966896
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可