Scattering Mechanims in Heavily Doped Semiconductors-2-Effect of Mass Anisotropy and Multiple Scattering
書誌事項
- タイトル別名
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- Scattering Mechanims in Heavily Doped S
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抄録
記事分類: 物理学--分子・物性--半導体
収録刊行物
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- Journal of the Physical Society of Japan
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Journal of the Physical Society of Japan 49 (2), p578-588, 1980-08
Tokyo : Physical Society of Japan
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1521980705177398272
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- NII論文ID
- 110001965136
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- NII書誌ID
- AA00704814
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- ISSN
- 00319015
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- NDL書誌ID
- 2188173
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- 本文言語コード
- en
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- NDL 雑誌分類
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- ZM35(科学技術--物理学)
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- データソース種別
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- NDL
- CiNii Articles