4p-K-17 Si-MOS反転層の局在状態

DOI

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282681187666432
  • NII論文ID
    110002004318
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyoe.1977.2.0_148_1
  • ISSN
    24331104
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ