4p-B-5 Si(001) 近傍面 MOS 反転層のサイクロトロン共鳴吸収

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  • CRID
    1390001206142258048
  • NII論文ID
    110002006168
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyok.1979.2.0_139_1
  • ISSN
    2433118X
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles

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