3a-A-16 MOS反転層における表面イオン散乱とアンダーソン局在

• 小野 高義

  東大物性研

• 小田 祺景

  東大物性研

• 永野 弘

  東大物性研

• 川口 洋一

  学習院女子短大

• 川路 紳治

  学習院大理

収録刊行物

• 秋の分科会予稿集

  秋の分科会予稿集 1984.2 (0), 181-, 1984

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390282681122478464
• NII論文ID: 110002013873
• DOI: 10.11316/jpsgaiyok.1984.2.0_181_1
• ISSN: 2433118X
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles