4a-C-6 シリコンMOS二次元電子系の強磁場電子局在

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • 4a-C-6 Electron Localization of Two-Dimensional Electron Systems of Si-MOS in Strong Magnetic Fields

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001206152377472
  • NII論文ID
    110002048740
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyok.1989.2.0_142_1
  • ISSN
    2433118X
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ