22aWA-1 レーザーアニールを利用したSi(111)清浄表面の電子状態

• 春山 雄一

  姫工大高度研

• 奥田 太一

  東大物性研

• 原沢 あゆみ

  東大物性研

• 木下 豊彦

  東大物性研

• 田中 慎一郎

  名大理

• 牧野 秀男

  株式会社シリコンテクノロジー

• 和田 勝男

  株式会社シリコンテクノロジー

• 松井 真二

  姫工大高度研

書誌事項

タイトル別名

• Electronic structure of Si(111) clean surface using the laser annealing

収録刊行物

• 日本物理学会講演概要集

  日本物理学会講演概要集 55.2.4 (0), 748-, 2000

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390001206036828672
• NII論文ID: 110002150074
• DOI: 10.11316/jpsgaiyo.55.2.4.0_748_1
• ISSN: 21890803
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles