MOSデバイスにおけるSi-SiO_2界面状態と1/f雑音 (III) : 半導体 (表面)

• 小林 郁朗

  富士通第二半導体技術部

• 安武 和芳

  富士通第二半導体技術部

• 中原 正人

  富士通第二半導体技術部

収録刊行物

• 日本物理学会年会講演予稿集

  日本物理学会年会講演予稿集 24.5 (0), 59-, 1969

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390282681151010944
• NII論文ID: 110002276085
• DOI: 10.11316/jpsgaiyoi.24.5.0_59_1
• ISSN: 24331163
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles