半導体成長素過程の量子論(<小特集>エピタキシャル成長の量子論)

• 白石 賢二

  NTT基礎研究所

書誌事項

タイトル別名

• Quantum Theory of Semiconductor Epitaxial Growth(<Special Issue> Quantum Mechanical Approach to Epitaxial Growth)
• 半導体成長素過程の量子論
• ハンドウタイ セイチョウ ソカテイ ノ リョウシロン

抄録

According to the recent development of nano-technologies, we have obtained the detail information on the atomic structures of surface reconstructions. In this circumstance, many attemptes are made both experimentally and theoretically, to clarify the microscopic mechanism of epitaxial growth In this report, we describe the first principles study of the epitaxial growth process on GaAs surfaces, and make clear the crucial problems in the quantum theory of epitaxial growth.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 23 (1), 30-35, 1996

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390282680841322496
• NII論文ID: 110002714592
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.23.1_30
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• NDL書誌ID: 3934881
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I3934881
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可