書誌事項
- タイトル別名
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- Mechanism of Rapid Diffusicn of Ga into Insb Substrate
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抄録
permeation mechanism of Ga Into an InSb substrate was Investlgated. The direct observation of the Ga incorporation on an InSb substrate clearly showed that the{111}planes appeared at the front of the layer and the InGaSb crystal was grown after the movement of liquid belt.
収録刊行物
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- 日本結晶成長学会誌
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日本結晶成長学会誌 24 (2), 227-, 1997
日本結晶成長学会
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詳細情報
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- CRID
- 1390001205862259712
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- NII論文ID
- 110002714936
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- NII書誌ID
- AN00188386
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- ISSN
- 21878366
- 03856275
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- HANDLE
- 10297/2769
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- IRDB
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可