ナイトライド半導体の構造安定性への原子間ポテンシャルの適用 : 成長界面III

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部物理工学科

• 寒川 義裕

  学習院大学計算機センター

書誌事項

タイトル別名

• An interatomic potential for nitride semiconductors : application to structural stability

抄録

Structural stability of nitride semiconductors is investigated using an empirical interatomic potential applicable to subtle energy difference between zinc blende and wurtzite structures. The calculated results imply that wurtzite structre is more stable than zinc blende structure by 4.5 (meV/atom) and 7.8 (meV/atom) for GaN and InN, respectively. These results agree well with those obtained by ab initio calculations.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 27 (1), 150-, 2000

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390001205862494464
• NII論文ID: 110002715367
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.27.1_150
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可