カーボンおよびSiO包埋粒子の構造 : 微粒子 Structure of II-VI semiconductor ultra-fine particles covered with SiO or carbon layer

抄録

ZnTe, CdTe, ZnSe and ZnS nanocrystals were prepared by simultaneously evaporation of II-VI compounds and carbon or SiO in Ar gas (80 torr). It has been found that zinc-blende particle covered with oxide or carbon layer has been produced predominantly.

収録刊行物

日本結晶成長学会誌   [巻号一覧]

日本結晶成長学会誌 27(1), 171, 2000-07-01  [この号の目次]

日本結晶成長学会

参考文献:  2件

参考文献を見るにはログインが必要です。ユーザIDをお持ちでない方は新規登録してください。

プレビュー

プレビュー

各種コード

  • NII論文ID(NAID) :
    110002715388
  • NII書誌ID(NCID) :
    AN00188386
  • 本文言語コード :
    JPN
  • 資料種別 :
    OTR
  • ISSN :
    03856275
  • 収録DB :
    CJP書誌  NII-ELS