半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究 : マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係 : 結晶成長の理論(<特集>21世紀を拓く薄膜結晶成長)

• 白石 賢二

  NTT物性科学基礎研究所

• 小山 紀久

  金属材料技術研究所究所

• 岡島 康

  早稲田大学理工学部

• 武田 京三郎

  早稲田大学理工学部

• 山口 浩司

  NTT物性科学基礎研究所

• 伊藤 智徳

  三重大学工学部

• 太田 英二

  慶應義塾大学理工学部

• 大野 隆央

  金属材料技術研究所究所

書誌事項

タイトル別名

• Theoretical Studies of Epitaxial Growth on Semiconductor Lattice-Mismatched Systems Relation between Macroscopic Growth Behavior and Microscopic Mechanism : Theory of Crystal Growth(<Special Issue>Frontiers of Thin Film Crystal Growth for the New Millennium)
• 半導体格子不整合系におけるエピタキシャル成長の理論的研究--マクロスコピックな成長過程とミクロスコピックな機構との関係
• ハンドウタイ ゴウシ フセイゴウケイ ニ オケル エピタキシャル セイチョウ ノ リロンテキ ケンキュウ マクロスコピック ナ セイチョウ カテイ ト ミクロスコピック ナ キコウ ト ノ カンケイ

抄録

We discuss the relation between microscopic mechanism and macroscopic growth behavior. First, we introduce a macroscopic theory of growth behavior in semiconductor heteroepitaxy that includes the effects of the formation of Stranski-Krastanov (SK) islands and the misfit-dislocations (MDs). This theory can reproduce the various types of growth behavior observed in heteroepitaxial growth. Next, we have formulated a procedure for determining the phenomenological parameters that includes atomistic calculations. The critical thickness of InAs/GaAs (110) obtained by this procedure is in good agreement with the experimentally obtained value.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 27 (4), 250-256, 2000

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390001205862619776
• NII論文ID: 110002715437
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.27.4_250
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• HANDLE: 10076/8498
• NDL書誌ID: 5528766
• Web Site: https://mie-u.repo.nii.ac.jp/records/8189
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5528766
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • IRDB
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可