23aB11 SEE法によるZnS//CaF_2の作成(エピタキシャル成長II)

• 前田 健

  大阪大学大学院理学研究科

• 間宮 幹人

  大阪大学大学院理学研究科

• 武居 文彦

  大阪大学大学院理学研究科

書誌事項

タイトル別名

• 23aB11 Growth of ZnS on CaF_2 by Solvent Evaporation Epitaxy method

抄録

ZnS epitaxial layer on CaF_2 (100) is grown by the Solvent Evaporation Epitaxy method using PbCl_2 as a solvent. To avoid ZnS decomposition, the growth reaction is carried out under sulfur-enriched atmosphere. We have obtained ZnS layer at temperatures higher than 600℃.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 26 (2), 96-, 1999

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390282680840070912
• NII論文ID: 110002769180
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.26.2_96
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可