GaN基板上低楕円率青紫色半導体レーザ(窒化物及び混晶半導体デバイス)  [in Japanese] Violet laser diodes on GaN substrates with low aspect ratio  [in Japanese]

GaN基板上に形成された青紫色窒化物系半導体レーザについて、導波路シミュレーションを用いて導波モードを解析し、垂直方向の放射角の検討を行った。 活性層への光閉じ込めを維持しつつ、垂直放射角を低減できる、三重クラッド層構造を提案した。本構造が適用されたレーザの特性として、閾値電流29mA、光出力30mWにおける動作電流50mA、垂直放射角16.2°が得られた。 ファーフィールドパターンの楕円率が1.6と小さく、かつ低動作電流の青紫色半導体レーザが実現できた。

Violet nitride semiconductor laser diodes grown on GaN substrates have been investigated. Waveguide simulations have been performed to examine guided modes in the laser structure. The triple-cladding-layer (TCL-) technique has proposed for achieving the laser with a small perpendicular radiation angle and a low operation current. The laser diode with the optimized structure has been fabricated. The threshold current density and operation current at an output power of 30 mW have been 29 mA and 50 mA, respectively. The perpendicular radiation angle has been as small as 16°. The violet laser diode with low aspect ratio of 1.6 has been realized.