ナノプローバとTEMを用いた不良解析手法の開発(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)  [in Japanese] Development of Failure Analysis Method Using Nano-prober and THIS  [in Japanese]

Abstract

ナノプローバは単体実デバイスの電気特性を評価するために開発された技術である。これにより不良箇所をデバイスの構成要素単位で特定し、その場所の構造的な異常(異物、加工不良、反応生成物等)をTEM観察・分析TEMにより確実に見つけ出すことが可能となった。このナノプローバとTEMの組み合わせによる解析は不良箇所の電気特性と構造的な異常とを一対一で対応付けることが出来、不良の根本原因から最終的な不良症状に至るまでの因果関係解明の大きな手掛かりとなる。解決策もより確実なものが提案できるため、本手法は実際の不良解析および解決策構築に有効なものとなっている。

The Nano-prober is our original tool which can give us electrical characteristics such as transistor I-V and metal resistivitiy of each individual circuit element of an LSI. The detailed structure of the failure suite, which was pinpointed by the Nanoprober, can be observed and/or analyzed by TEM (Transmission Electron Microscope). Examining electrical and structureal information of the exactly same failure site reveals the failure mechanism and help us to make effective countermeasures.

Journal

IEICE technical report. Component parts and materials   [List of Volumes]

IEICE technical report. Component parts and materials 103(645), 13-15, 2004-01-29  [Table of Contents]

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  5

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Codes

  • NII Article ID (NAID) :
    110003175082
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID) :
    AN10012932
  • Text Lang :
    JPN
  • Article Type :
    ART
  • ISSN :
    09135685
  • NDL Article ID :
    6888492
  • NDL Source Classification :
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No. :
    Z16-940
  • Databases :
    CJP  NDL  NII-ELS 

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