InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性

• 深井 佳乃

• 杉谷 末広

• 榎木 孝知

書誌事項

タイトル別名

• InP HEMT ノ ドレイン テイコウ ヘンカ ノ バイアス イゾンセイ ト カイロ ノ シンライセイ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 103 (275), 47-52, 2003-08-28

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• ドレイン抵抗増加
• バイアス加速
• InP-based HEMTs
• reliability
• drain resistance increase
• bias acceleration degradation

詳細情報

• CRID: 1520572359166575488
• NII論文ID: 110003175385
• NII論文ID: 110003301657
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 6706288
• NDL書誌ID: 6706430
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/6706288
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6706288
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/6706430
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6706430
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles