書換形2層相変化光ディスク用高透過率記録層  [in Japanese] High transmittance Recording Layer for rewritable Dual-layer Phase-change Optical Disk  [in Japanese]

Abstract

書換形2層相変化光ディスクのフロント記録届(レーザ入射側の記録層)に必要である、高い透過率と優れた反射率コントラスト(結品部の反射率をRcry、アモルファス部の反射率をRamoとして、 (Rcr-Ramo)/(Rcry+Ramo)で定義)を備えた相変化光記録層を実現した。このフロント層は、レーザ入射側からZnS-SiO_2層、界面層、GeTe-Sb_2Te_3相変化材料層(6nm)、界面届、Ag合金反射層(10nm)を形成するという従来構成に対して、さらに、高い屈折率を有するTiO_2層(20nm)を最上層として形成したことを特徴とする。TiO_2層は反射層との間で光学的干渉を生じさせ、アモルファス部では54%、結品部では51%もの大きな透過率を達成した。また、反射率コントラストを大きくする目的で、信号極性をRcry>Ramoとするいわゆる「High to Low 構成」を採用し0.7を超える大きな反射率コントラスト(Ramo=0.7%, Rcry=5.7%)を実現した。このフロント層に、波長405nm、NA0.85の光学系を用いて、最短マーク長0.149μmの1-7PP変調信号(2層で50GBの密度に相当)を記録したところ、10mWの記録パワーで7.4%のジッター値(by LimitEqualizer)が得られた。

We developed a phase-change recording medium which has a high transmittance and a large reflectivity contrast (that is defined as the equation of (Rcr-Ramo)/(Rcry+Ramo)). This medium is very suitable for the front-side recording layer of a dual-layer optical disk. The layer structure is characterized by a TiO_2 top film with a large refractive index of 2.7 in addition to a conventional structure which has very thin films of GeTe-Sb_2Te_3 phase-change film (6nm) and Ag-alloy reflective film (10nm). A high transmittance (>50%) is realized by a new optical interference arising from a TiO_2 top film. Moreover, we adopted so-called "high to low" optical designing (Rcry>Ramo) to achieve a large reflectivity contrast (>0.7). In the case of 50GB/side (25GB layer) condition, the jitter value using a limit equalizer is 7.4%.

Journal

IEICE technical report. Magnetic recording   [List of Volumes]

IEICE technical report. Magnetic recording 102(552), 19-23, 2003-01-09  [Table of Contents]

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  6

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Codes

  • NII Article ID (NAID) :
    110003176706
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID) :
    AN10013050
  • Text Lang :
    JPN
  • Article Type :
    ART
  • ISSN :
    09135685
  • NDL Article ID :
    6468490
  • NDL Source Classification :
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No. :
    Z16-940
  • Databases :
    CJP  NDL  NII-ELS 

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