60W出力AlGaN/GaNフィールドプレートFET  [in Japanese] A 60W AlGaN/GaN Heterojunction with a Field-Modulating Plate  [in Japanese]

SiC基板上にフィールドプレート(FP)を持つAlGaN/GaNヘテロ接合FETを製した。従来構造のゲート耐圧は50Vであったが、FPの適用によりゲート耐圧は改善した。 FP長1μmの素子において最大のゲート耐圧160Vを得た。また、ドレイン電圧を80Vまで掃引しても、電流コラプスは無視できるレベルであった。マルチセル素子のパワー測定により、ゲート幅16mmのFP構造素子にて、飽和出力60.6W、線形利得6.7dB、電力付加効率47%を達成した。

An AlGaN/GaN heterojunction FET with a field-modulating plate has been fabricated on a SiC substrate. The gate breakdown voltage was improved from 50V to 160V by intrducing a field-modulating plate. The highest gate breakdown voltage was obtained with a field-modulating plate of 1.0μm-length. For a 16mm-wide 4-cell FET, an output power of 60.6W was obtained with a linear gain of 6.7dB and a power-added efficiency of 47%.