マイクロストリップ線路共振器法による表面抵抗と磁場侵入長の測定 : 測定精度に与える膜厚効果の検討

• 岡井 大祐

  山形大学工学部電子情報工学科

• 冨山 岳郁

  山形大学工学部電子情報工学科

• 新開 陽子

  山形大学工学部電子情報工学科

• 楠 正暢

  山形大学工学部電子情報工学科

• 大嶋 重利

  山形大学工学部電子情報工学科

書誌事項

タイトル別名

• Measurement of the surface resistance and the magnetic penetration depth by the microstripline resonator method : Examination of the effect of the thin film thickness on measurement accuracy of Rs and λ

抄録

マイクロストリップ線路共振器法は, 超伝導マイクロ波バッシブデバイスを設計する上で重要なパラメーターである、超伝導薄膜の表面抵抗、磁場侵入長、誘電体基板の比誘電率、誘電損の値を測定することができる。表面抵抗と磁場侵入長の正確な測定のためには、マイクロストリップ線路共振器法を系統的に検討する必要がある。我々は、表面抵抗と磁場侵入長の測定精度に与える膜厚効果を調べた。その結果、表面抵抗、磁場侵入長の正確な値を求めるためには、薄膜の膜厚を考慮する必要があることが分かった。また、マイクロストリップ線路共振器法によりYBCO薄膜の表面抵抗と磁場侵入長を測定した。表面抵抗は、3.9GHz、21Kで177.2μΩ、磁場侵入長λ(0)は、0.37μmと求めることができた。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. SCE, 超伝導エレクトロニクス

  電子情報通信学会技術研究報告. SCE, 超伝導エレクトロニクス 98 (14), 35-42, 1998-04-22

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• マイクロストリップ線路共振器
• 表面抵抗
• 磁場侵入長

詳細情報

• CRID: 1573387452197010944
• NII論文ID: 110003187471
• NII書誌ID: AN10012885
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles