SCE2000-15 / MW2000-79 白金中間層上のYBa_2Cu_3O_<7-δ>薄膜成長  [in Japanese] SCE2000-15 / MW2000-79 The growth of YBa_2Cu_3O_<7-δ> thin film on Pt buffer layer  [in Japanese]

高温超電導薄膜を高速の伝送線路として使用する高温超電導マルチチップモジュール(HTS-MCM)に興味が持たれている。これを実現するためには低誘電率材料上に高温超電導薄膜を形成する技術が必要である。低誘電率材料としてSiO_2アモルファス基板を用い、バッファー層としてPt薄膜を介し、YBCO薄膜を成膜することを試みた。Pt薄膜の膜質を制御し、膜厚を薄く140ÅとすることでYBCO薄膜のc軸成長を促し、Tc=70Kを得た。

We are interested in high-temperature superconducting multi-chip module(HTS-MCM)substrate using high-temperature superconducting as high-speed high-frequency signal transmission lines interconnects between chips. HTS-MCM needs a technology to fabricate HTS thin film on the low dielectric constant material. We tried to deposit YBCO thin film on an amorphous synthetic quarts(SiO_2)substrate as the low dielectric constant material with a Pt thin film as a buffer layer. With controlling characteristics of the Pt thin film and with decreasing thickness of the Pt thin film, the growth of c-axis was accelerated and Tc(zero)of the YBCO thin film on SiO_2 substrates with the 140Å-thick Pt buffer layer was 70K.