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Abstract
強い電磁環境あるいは宇宙空間において、半導体メモリは、ランダムな多ビット誤りが生ずることが考えられる。このような状況下では、従来のSEC-DEDや単一バイト(バイト=bビット)誤り訂正(S_bEC)の機能を有する符号では十分対処できない。また、近年半導体メモリ素子のデータ入出力幅は増加の傾向にあり、16ビット、32ビット素子が出現している。このような多ビット入出力素子を使用したメモリ素子に対し、本稿では、素子からの入出力データ幅をブロック(B)としたとき、ブロック内のランダムな2ビット誤りを訂正し、単一バイト誤りを検出する((DEC)_B-S_bED)符号と、ブロック内のランダムな2ビット誤りを訂正し、単一バイト誤りを訂正する((DEC)_B-S_bEC)符号について、その構成法等を述べる。
Computer memory systems when exposed to strong electromagnetic waves or radiation are highly vulnerable to multiple random bit errors.Under this situation, we cannot apply existing SEC-DED or S_bEC capable codes because they provide insufficient error control performance.This correspondence considers the situation where two random bits in a memory chip are corrupted by strong electromagnetic waves or radioactive particles and proposes two classes of codes that are capable of correcting random double bit errors occurring within a chip.The proposed codes, called Double bit within a block Error Correcting-Single byte Error Detecting((DEC)_b-S_bED)code and Double bit within a block Error Correcting-Single byte Error Correcting((DEC)_B-S_bEC code, are suitable for recent computer memory systems.
Journal
- Technical report of IEICE. FTS [List of Volumes]
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Technical report of IEICE. FTS 100(30), 89-96, 2000-04-28 [Table of Contents]
The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers