反応性スパッタ法によるSi基板上へのY組成制御YSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長

参考文献8件
  • 渡部 幹雄
    北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科
  • 成瀬 哲哉
    北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科
  • 増田 淳
    北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科
  • 堀田 将
    北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科

書誌事項

タイトル別名
  • Heteroepitaxial growth of YSZ films with controlled Y content on Si by reactive sputtering

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抄録

反応性スパッタ法により、Y組成を制御したイットリア安定化ジルコニア(YSZ)薄膜をn-Si(100)基板上にヘテロエピタキシャル成長させ、その膜質を評価した。Y組成比2.3〜19.7at.%の堆積膜は、立方晶YSZ(100)/Si(100)構造で、また、Y組成比1.2at.%の堆積膜は、単斜晶(ZrO_2)_<1-x>(Y_2O_3)_x(100)/立方晶YSZ(100)/Si(100)構造でヘテロエピタキシャル成長していることがわかった。電気的特性を評価した結果、Y組成比を1.2at.%まで低減することにより、5Vでの漏れ電流が約10^<-7>A/cm^2と減少し、さらに、電気容量(C)-電圧(V)特性におけるイオンドリフトによるヒステリシス幅も狭くなり、特性の向上が見られた。なお、1MHzのC-V特性の蓄積容量から求めた堆積膜の比誘電率は、Y組成を9.4から1.2at.%へと減少させると、24から16へと低下した。

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参考文献 (8)*注記

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キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572824502213115136
  • NII論文ID
    110003199028
  • NII書誌ID
    AN10012932
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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