リセス・ゲートGaAs MESFETにおけるゲートラグ現象の2次元数値解析

• 山田 富子

  芝浦工業大学 システム工学部

• 若林 朗

  芝浦工業大学 システム工学部

• 堀尾 和重

  芝浦工業大学 システム工学部

書誌事項

タイトル別名

• Two-Dimensional Numerical Analysis of Gate-Lag Phenomena in Recessed-Gate GaAs MESFETs

抄録

表面準位を考慮したリセス・ゲート構造GaAsMESFETの2次元シミュレーションを行い, ゲートターンオン特性のリセス深さおよびゲート電極・リセス端距離依存性を調べた. その結果, 横方向(電極方向)の表面のみに表面準位が存在するとしたものでは, リセスをある程度深くし, ゲート電極・リセス端距離を狭めることによりゲートラグが消失した. しかし, 縦方向の表面にも表面単位を考慮した現実的なものでは, リセスを深くしてもゲートラグは消失しなかった. これは, 深いアクセプタ型の表面単位が正孔トラップとして働くとき, ゲート電圧印加によりソース, ドレインと同一平面上の表面準位層下の空乏層幅が大きく変化するのが原因と解釈された.

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 97 (271), 9-14, 1997-09-26

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• ガリウムひ素
• 金属・半導体電界効果トランジスタ
• ゲートラグ
• リセス・ゲート構造
• 表面準位
• デバイスシミュレーション

詳細情報

• CRID: 1570009752446676608
• NII論文ID: 110003199887
• NII書誌ID: AN10012954
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles