電気化学プロセスによる化合物半導体ショットキー接合の形成と界面制御

• 兼城 千波

  北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター、工学研究科

• 佐藤 威友

  北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター、工学研究科

• 小山 雄司

  北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター、工学研究科

• 橋詰 保

  北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター、工学研究科

• 長谷川 英機

  北海道大学 量子界面エレクトロニクス研究センター、工学研究科

書誌事項

タイトル別名

• Formation and control of Schottky contacts on compound semiconductors by in situ electrochemical process

抄録

金属イオンを含む電界溶液中において、GaAsなどの化合物半導体表面をエッチングし、引き続き同一液中で金属膜の堆積(めっき)を行い、ショットキー接合の形成を行った。作製したダイオードの電気的特性はほぼ理想的なショットキー特性を示した。金属析出の初期過程では、20-30nmの大きさをもつ金属粒子が半導体表面に堆積する。さらに、金属堆積の初期過程及び電気的特性の評価により、ダメージフリー、ストレスフリーの制御された接合界面が本プロセスにより実現できることが明らかとなった。また、作製したダイオードの障壁高さは、これまでの報告よりも仕金属事関数依存性が強いことがわかり、ピンニングの緩和したショットキー界面が形成されている可能性が示された。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98 (185), 55-60, 1998-07-22

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• ショットキー接合
• InP
• GaAs
• GaN
• 化合物半導体
• in situ 電気化学プロセス

詳細情報

• CRID: 1570009752449207040
• NII論文ID: 110003200611
• NII書誌ID: AN10012954
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles