Ga-As-Ge溶液からのGe/GaAs連続成長  [in Japanese] Consecutive growth of Ge/GaAs from Ga-As-Ge solution  [in Japanese]

Ga-As-Ge溶液から、GaAs(100)基板上に成長層を析出させ、それについて評価を行った。成長層には、明確に2層が観察された。第1層は、厚さ約20μmのGaAs層、第2層は非常に厚いGe層であった。X線回折によって、これらの層は、基板にエピタキシャル成長していることがわかった。GaAsエピ層、Geエピ層共にp型の低抵抗層で、それぞれ、深さ方向にほぼ一定の抵抗率を持っている。これらのことから、Ga-As-Ge溶液から、p^+Ge, p^+GaAs構造が、連続にエピタキシャル成長できることが確認された。この成長法は、逆エピタキシーとして利用でき、SIThy等のGaAsパワーデバイス作製技術として有望である。

The growth layers precipitated on GaAs(100)substrates from Ga-As- Ge solution has been investigated.Two layers were observed in the grown layer,obviously.The first layers with about 20μm thickness c onsisted of GaAs,and the very thick second layers were composed of Ge.The results of X-ray diffraction measurement indicated that these were epitaxial layers.The GaAs epi.layers and the Ge epi. layers were p-type and low resistivity.Both layers had uniform resistivitys along growth direction,respectivery.These results indicated that a p^+ GaAs epi.layer and a p^+ Ge epi.layer could be grown consecutively from Ga-As-Ge solution.This growth method, which can be utilize inverse epitaxy is promissing for fabrication technique of GaAs power devices.