LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II)  [in Japanese] The conversion of LPE GaAs on GaP to GaAsP(II)  [in Japanese]

新しいヘテロエピタキシャル成長技術である組成変換技術によりGaP基板上にGaAsyP_1-y>混晶層(0.5〈y〈0.8)を成長させ、X線回折及びフォトルミネセンス測定による評価を行った。成長したGaAsP混晶層は室温及び77Kにおいてバンド間遷移に対応した明瞭な発光ピークを示した。更にこの混晶層上に成長させたGaAsP混晶は、より強い発光特性を示し、組成変換によって得たGaAsP層上に良好なGaAsP混晶を成長できることが判明した。

GaAsyP_1-y> alloy layers(0.5y0.8)are grown on a GaP substrate by a new heteroepitaxial growth technique ″compositional conversio n′.The layers are evaluated by X-ray diffraction and photoluminesc ence.Evident emissions corresponding band-to-band recombination are observed at 77K and room temperature.More intensive photoluminescence emissions are observed from consecutive grown GaAsP layers.This result indicates fairly good GaAsP layers can be grown on the conversion layers.