エキシマ・レーザ・アニールにより形成した低温プロセス多結晶Si成長モデル--転位論に基ずく検討

• 松尾 直人

• 河本 直哉

• Fakhrul Anwar

書誌事項

タイトル別名

• エキシマ レーザ アニール ニ ヨリ ケイセイ シタ テイオン プロセス タケッショウ Si セイチョウ モデル テンイロン ニ モトズク ケントウ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 99 (22), 9-14, 1999-04-23

  東京 : 電子情報通信学会

詳細情報

• CRID: 1520009410307508992
• NII論文ID: 110003200844
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 4730619
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4730619
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles