GaAs多段原子ステップ上へのInGaAsドットの形成と評価

• 石原 崇章

• 赤堀 誠志

• 本久 順一

書誌事項

タイトル別名

• GaAs タダン ゲンシ ステップ ジョウ エ ノ InGaAs ドット ノ ケイセイ ト ヒョウカ
• 量子ナノ構造の形成と物性(1)
• リョウシ ナノ コウゾウ ノ ケイセイ ト ブッセイ 1

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 101 (620), 29-34, 2002-01-28

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• MOVPE
• GaAs001微傾斜基板
• S-K量子ドット
• GaAs 001 vicinal substrate
• GaAs multiatomic step
• S-K mode quantum dot

詳細情報

• CRID: 1520290883511451392
• NII論文ID: 110003201529
• NII論文ID: 110003310975
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 6073397
• NDL書誌ID: 6073539
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6073397
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6073539
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles