極薄熱酸化膜中の金属ナノクリスタルの形成と単一電子帯電効果の観測

• 中島 安理

  (株)富士通研究所

• 二木 俊郎

  (株)富士通研究所

• 中尾 宏

  (株)富士通研究所

• 臼杵 達也

  (株)富士通研究所

• 堀口 直人

  (株)富士通研究所

• 横山 直樹

  (株)富士通研究所

書誌事項

タイトル別名

• Formation of metal nanocrystals in thin thermally grown SiO_2 film via low energy ion implantation and observation of their single electron charging effect

抄録

低エネルギーイオン注入法を用いて、均一なサイズと深さ方向の位置を持つSn及びSbナノクリスタルをSi基板上の極薄熱酸化膜中に作製した。低エネルギーイオン注入により一定の深さのみに一定のドーズ量を実現できた事と遷移領域近傍の歪の影響が、形成された金属ナノクリスタルのサイズと位置の均一性に寄与していると考えられる。これらのSnまたはSbナノクリスタルを含む構造を用いたダイオードの電流-電圧特性において、4.2Kで明瞭なクーロステアケースと0V近傍の電流抑制領域を観測した。この電流抑制領域は高温(77K)まで観測され、本研究において単一電子デバイスの実用化への可能性を示した。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98 (28), 9-14, 1998-04-23

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• Sn
• Sb
• ナノクリスタル
• 単一電子帯電効果
• 極薄酸化膜
• 遷移領域
• 低エネルギーイオン注入

詳細情報

• CRID: 1570854177380432128
• NII論文ID: 110003202196
• NII書誌ID: AN10012954
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles