二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導

• 羽田野 剛司

  広島大学 ナノデバイス・システム研究センター

• 野村 明弘

  広島大学 ナノデバイス・システム研究センター

• 吉田 昌義

  広島大学 ナノデバイス・システム研究センター

• 中島 安理

  広島大学 ナノデバイス・システム研究センター

• 芝原 健太郎

  広島大学 ナノデバイス・システム研究センター

• 横山 新

  広島大学 ナノデバイス・システム研究センター

書誌事項

タイトル別名

• Electrical Conduction of Double-Barrier Ultrasmall MOS Transistors

抄録

新しい二重障壁トランジスタを提案する。このトランジスタはLDD (Lightly Doped Drain) MOSトランジスタ構造をわずかに変化させ、かつ二つのゲートを持つ構造である。2つのゲート電圧を制御することにより、サイドウォールスペーサ下部に障壁が形成される。このトランジスタが室温で動作可能となるためには、トンネル電流が熱励起電流より十分大きくなる障壁の形成が必要である。我々はこのトランジスタの室温での電気伝導特性の計算を行ない、トランジスタの室温動作の可能性を検討した。その結果、障壁が形成され、その障壁を流れるトンネル電流においてクーロンブロッケードによる電流の抑制効果が現れたが、その大きさが熱励起電流より小さかった。熱励起電流をトンネル電流より小さくするためには、基板濃度を高くすることが有効であることがわかった。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98 (28), 15-19, 1998-04-23

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 空乏層ポテンシャル障壁
• 室温クーロンブロッケード
• トンネル電流
• 熱励起電流
• 基板濃度

詳細情報

• CRID: 1570291227427009280
• NII論文ID: 110003202197
• NII書誌ID: AN10012954
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles