段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減  [in Japanese] Reduction of Etch Pit Density in GaN by Regrowth on Step Structure  [in Japanese]

段差上へGaNを再成長することで、再成長GaN中に低欠陥領域が形成されることを、断面TEMの観察により見出した。段差上においてはc面以外の成長面を出しながら成長が行われることに対応して、貫通欠陥がその伝播方向を変えることを見出した。段差上へのGaNの再成長により低欠陥領域が形成されることを利用し、周期的ストライプ構造へのGaNの再成長を2回繰り返すことで、GaN表面の全面に渡ってエッチピット密度を6.3×10^6cm^<-2>まで低減させることに成功した。

We found that low-dislocation-density regions are formed in a GaN layer regrown on step structure. We also observed that growth front of the regrown GaN layer on the step region shows facet planes and that threading dislocations propagete off from the c-axis in that region. By employing the present regrowth technology on periodical groove structure twice, the threading dislocations in the regrown GaN were uniformly reduced down to 6.3×10^6cm^<-2>.