低電圧化の動向 (<小特集> マイクロプロセッサ 5.)  [in Japanese] Trend of Low-Voltage Operation of CMOS Devices (<Special Issue> Microprocessors 5.)  [in Japanese]

Abstract

マイクロプロセッサを中心とするMOS集積回路において,その動作周波数の増加,素子の高密度化に伴う消費電力の増加の抑制,デバイスの信頼性の向上のために動作電圧の低電圧化が望まれている.ここでは電圧と回路性能の関係を明確にして,微細化すれば低電圧化しても回路性能は向上することをいくつかの実例と共に示す.更にこれに加え,消費電力,信頼性を考慮した電源電圧の最適な領域を示す.また低電圧動作において高性能なデバイスを実現するためのプロセス / デバイス技術を紹介する.

Journal

The Journal of the Institute of Electronics, Information, and Communication Engineers   [List of Volumes]

The Journal of the Institute of Electronics, Information, and Communication Engineers 76(7), 726-730, 1993-07-25  [Table of Contents]

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  6

You must have a user ID to see the references.If you already have a user ID, please click "Login" to access the info.New users can click "Sign Up" to register for an user ID.

Cited by:  1

You must have a user ID to see the cited references.If you already have a user ID, please click "Login" to access the info.New users can click "Sign Up" to register for an user ID.

Preview

Preview

Codes

  • NII Article ID (NAID) :
    110003231497
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID) :
    AN1001339X
  • Text Lang :
    JPN
  • Article Type :
    Journal Article
  • ISSN :
    09135693
  • NDL Article ID :
    3832889
  • NDL Source Classification :
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No. :
    Z16-192
  • Databases :
    CJP  CJPref  NDL  NII-ELS