理想的なSファクタを実現する完全空乏型Duble-Gate SOI MOSFETのスケーリング理論

• 森 雅朋

  東北大学電気通信研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学電気通信研究所

• 桜庭 弘

  東北大学電気通信研究所

• 舛岡 富士雄

  東北大学電気通信研究所

書誌事項

タイトル別名

• The scaling theory which realizes an ideal S factor for Fully Depleted Double-Gate SOI MOSFET

収録刊行物

• 電子情報通信学会総合大会講演論文集

  電子情報通信学会総合大会講演論文集 2000 (2), 94-, 2000-03-07

  一般社団法人電子情報通信学会

詳細情報

• CRID: 1572824502330081024
• NII論文ID: 110003236549
• NII書誌ID: AN10471452
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles