C-11-10 Double Gate MOSFETの新しい構造と試作プロセスの提案

• 山下 弘臣

  東北大学 電気通信研究所

• 遠藤 哲郎

  東北大学 電気通信研究所

• 岩井 信

  東北大学 電気通信研究所

• 桜庭 弘

  東北大学 電気通信研究所

• 舛岡 富士雄

  東北大学 電気通信研究所

書誌事項

タイトル別名

• Novel structure and fabrication process for Double Gate MOSFET

収録刊行物

• 電子情報通信学会総合大会講演論文集

  電子情報通信学会総合大会講演論文集 2001 (2), 92-, 2001-03-07

  一般社団法人電子情報通信学会

詳細情報

• CRID: 1570009752435899776
• NII論文ID: 110003259556
• NII書誌ID: AN10471452
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles