Si基板上CoSi_2/Si/CdF_2/CaF_2ヘテロ構造を用いた極短チャネルトンネルFETの静特性と動作時間解析
書誌事項
- タイトル別名
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- Analysis of Static Characteristics and Response Time of Very Short Channel Tunneling FET with CoSi_2/Si/CdF_2/CaF_2 Heterostructures on Si Substrate
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抄録
集積回路の超高速・高密度化に伴い極微細構造で動作可能なトランジスタが重要な課題となっている。我々はSi基板上に結晶成長可能なCoSi_2/Si/CdF_2/CaF_2ヘテロ構造を用いた極短チャネルで動作可能な電界効果型トンネルトランジスタ(TFET)を提案した。このTFETではチャネル長5 cmにおいてもMOS-FETと同様な飽和特性が期待でき, また, 電界制御型量子効果多機能デバイスへの拡張が可能である。本報告では, このTFETの静特性と動作時間の素子構造依存性の解析を行なった。
収録刊行物
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- 電子情報通信学会総合大会講演論文集
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電子情報通信学会総合大会講演論文集 1997 (2), 108-, 1997-03-06
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1570009752484832000
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- NII論文ID
- 110003266206
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- NII書誌ID
- AN10471452
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles