イオン衝撃によるac-PDP保護層材料(MgAl_2O_4)の二次電子放出特性

• 平川 貴義

  佐賀大学 理工学部 電気電子工学科

• 内池 平樹

  佐賀大学 理工学部 電気電子工学科

• 張 書秀

  佐賀大学 理工学部 電気電子工学科

• 後藤 貞浩

  佐賀大学 理工学部 電気電子工学科

• 堤 圭一郎

  佐賀大学 理工学部 電気電子工学科

書誌事項

タイトル別名

• Ion-Induced Secondary Electron Emission Characteristics of Protecting Materials(MgAl_2O_4)for ac-PDPs
• イオン ショウゲキ ニ ヨル ac PDP ホゴソウ ザイリョウ MgAl2O4 ノ 2ジ デンシ ホウシュツ トクセイ
• イオン ショウゲキ ニ ヨル ac PDP ホゴソウ ザイリョウ MgAl2O4 ノ ニジ デンシ ホウシュツ トクセイ

抄録

真空紫外線透過特性を有するac-PDPの保護層材料として期待されるMgAl_2O_4について原料の組成比と二次電子放出比γ_iの関係を測定した。組成比が二次電子放出比に影響を及ぼす結果を得た。また、MgAl_2O_4をMgF_2基板に1000Å蒸着し、真空紫外線に対する透過率を測定した。活性化をしたMgAl_2O_4蒸着膜の真空紫外線の透過率が大きく改善される結果を得た。

収録刊行物

• 映像情報メディア学会技術報告

  映像情報メディア学会技術報告 25.4 (0), 37-42, 2001

  一般社団法人 映像情報メディア学会

キーワード

• イオン衝撃による二次電子
• 反射透過型
• MgAl_2O_4
• 保護層
• 真空紫外線透過率

詳細情報

• CRID: 1390282679502796672
• NII論文ID: 110003689030
• NII論文ID: 10018992299
• NII論文ID: 110003269731
• NII書誌ID: AN1059086X
• ISSN: 09135685
• ISSN: 24241970
• ISSN: 13426893
• DOI: 10.11485/itetr.25.4.0_37
• NDL書誌ID: 5712270
• NDL書誌ID: 5674428
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/5712270
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5712270
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/5674428
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5674428
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可