スパッタ・コンビナトリアル成膜法による蛍光体薄膜の作製及び薄膜EL素子への応用(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)  [in Japanese] Thin-Film Phosphor Development Utilizing Combinatorial Deposition by r.f. Magnetron Sputtering with Subdivided Powder Targets  [in Japanese]

    • 望月 優 Mochizuki Yu
    • 金沢工業大学O.E.デバイスシステムR&Dセンター Optoelectronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology
    • 伊原 一彦 Ihara Kazuhiko
    • 金沢工業大学O.E.デバイスシステムR&Dセンター Optoelectronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology
    • 宮田 俊弘 Miyata Toshihiro
    • 金沢工業大学O.E.デバイスシステムR&Dセンター Optoelectronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology
    • 南 内嗣 Minami Tadatsugu
    • 金沢工業大学O.E.デバイスシステムR&Dセンター Optoelectronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology

Abstract

蛍光体薄膜の開発に対して極めて有用な新規な薄膜作成技術として、分割粉末ターゲットを用いるスパッタ・コンビナトリアル成膜法を提案した。一例として、本成膜法をZn_2Si_<1-X>Ge_XO_4 : Mn蛍光体薄膜の作製に適用し、エレクトロルミネッセンス(EL)及びフォトルミネセンス(PL)に対する最高強度を得るための母体中のGeの含有量及び発光中心であるMn含有量をぞれぞれ1回の成膜プロセスで最適化できた。最適条件下で作製されたZn_2Si_<1-X>Ge_XO_4 : Mn薄膜EL素子において、1kHz及び60Hz正弦波交流電圧駆動時にそれぞれ11800及び1536cd/m^2の高輝度緑色発光を実現した。

A new technique incorporating combinatorial deposition to develop thin-film phosphors by r.f. magnetron sputtering is demonstrated using subdivided powder targets. The atomic ratios of Si and Ge as well as the Mn content in Zn_2Si_<1-X>Ge_XO_4 : Mn thin film phosphors were optimized in order to obtain the highest intensity in electroluminescent (EL) and photoluminescent (PL) emissions. High luminances of 11800 and 1536cd/m^2 were obtained in Zn_2Si_<0.6>Ge_<0.4>O_4 : Mn thin-film electroluminescent devices fabricated under the optimized conditions and driven at 1kHz and 60Hz, respectively.

Journal

IEICE technical report. Electronic information displays   [List of Volumes]

IEICE technical report. Electronic information displays 104(621), 37-40, 2005-01-21  [Table of Contents]

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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Codes

  • NII Article ID (NAID) :
    110003270063
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID) :
    AN10060775
  • Text Lang :
    JPN
  • Article Type :
    ART
  • ISSN :
    09135685
  • NDL Article ID :
    7253134
  • NDL Source Classification :
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No. :
    Z16-940
  • Databases :
    CJP  NDL  NII-ELS