MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価

• 岡垣 健

• 谷沢 元昭

• 内田 哲也

書誌事項

タイトル別名

• MOSFET ハンテンソウ イドウド ノ ストレス イゾンセイ ヒョウカ
• 特集:プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般
• トクシュウ プロセス デバイス カイロ シミュレーション オヨビ イッパン

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 104 (322), 27-32, 2004-09-28

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• ピエゾ抵抗係数
• CBCM法
• 3Dシミュレータ
• mobility
• piezoresistance coefficients
• CBCM method
• 3D Simulator

詳細情報

• CRID: 1520572357626165760
• NII論文ID: 110003309286
• NII論文ID: 110003294332
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 7121659
• NDL書誌ID: 7121808
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/7121659
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7121659
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/7121808
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7121808
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles