アルカリハライド混晶基板上のバナジルフタロシアニンのMBE成長  [in Japanese] Epitaxial Growth of Vanadyl-Phthalocyanine on Mixed-Crystals of Alkali Halides  [in Japanese]

    • 中尾 聡 Nakao S.
    • 東京工業大学工学部有機材料工学科 Department of Organic and Polymeric Materials, Tokyo Institute of Technology
    • 星 肇 Hoshi K.H
    • 東京工業大学工学部有機材料工学科 Department of Organic and Polymeric Materials, Tokyo Institute of Technology
    • 石川 謙 Ishikawa K.
    • 東京工業大学工学部有機材料工学科 Department of Organic and Polymeric Materials, Tokyo Institute of Technology

    • 竹添 秀男 Takezoe H.
    • 東京工業大学工学部有機材料工学科 Department of Organic and Polymeric Materials, Tokyo Institute of Technology

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Abstract

各種アルカリハライド単結晶及び種々の格子定数を示すKCl/KBr系混晶基板上に、分子線エピタキシー法によりバナジルフタロシアニン(VOPc)薄膜を成長させた。透過電子顕微鏡や原子間力顕微鏡を用い、各基板上での成長薄膜の配向状態、モルフォロジーや薄膜成長過程を比較、評価した。そしてこれらに対する、格子ミスフィットの影響について検討した。VOPcは基板格子定数により(3×3)R45°及び(√<10>×√<10>)R±27°の2種類の配向を示すが、いずれも格子ミスフィットが-4%を超えて保たれた。一方、薄膜モルフォロジーや成長過程は、格子ミスフィットに依存して明らかな差が見られ、その影響の大きさが示された。吸収スペクトルの形状には格子系の違いが反映されるが、これも格子ミスフィットに依存した。

In this paper, vanadyl-phthalocyanine thin films were fabricated on the variety of alkali-halide (001) substrates and KCl/KBr mixed-crystals substrates having various lattice constant by molecular beam epitaxy. The influence of the lattice misfit on the orientation, film morphology and film growth mechanism of the grown films are investigated by reflection high-energy diffraction, transmission electron microscopy, atomic force microscopy. Both the (3×3)R45°- and the (√<10>×√<10>)R±27°-type crystal grew on the substrate of the lattice misfit over -4%. The film morphology shows much difference depending on the lattice misfit. Optical absorption spectra in UV-visible regions also show the structural difference between the substrate with large and small lattice misfit.

Journal

Technical report of IEICE. OME   [List of Volumes]

Technical report of IEICE. OME 98(168), 1-8, 1998-07-06  [Table of Contents]

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  11

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  • NII Article ID (NAID) :
    110003300998
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID) :
    AN10013334
  • Text Lang :
    JPN
  • Article Type :
    ART
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    CJP  NII-ELS