CH4/H2ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ

• 八木 英樹

• 佐野 琢哉

• Dhanorm Plumwongrot

Bibliographic Information

Other Title

• CH4 H2 ドライ エッチング ト ウメ コミ サイセイチョウホウ ニ ヨル GaInAsP InP ワイ ホショウ タソウ リョウシ サイセン レーザ
• 特集:量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般
• トクシュウ リョウシ コウカ デバイス LD ヒカリ ゾウフク ヘンチョウ トウ ト シュウセキカ ギジュツ イッパン

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 104 (162), 1-6, 2004-07-02

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• GaInAsP/InP
• 歪補償量子井戸
• Ch4/H2-RIE
• OMVPE再成長
• Quantum-Wire Laser
• Strain-Compensated Quantum-Well
• OMVPE Regrowth

Details

• CRID: 1520572357435220608
• NII Article ID: 110003306990
• NII Article ID: 110003302647
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 7069237
• NDL BIB ID: 7068240
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7069237
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7068240
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles