1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(<特集>量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)  [in Japanese] K-factor of 1.3μm-range GaInNAsSb/GaAs VCSEL  [in Japanese]

    • 有賀 麻衣子 Ariga M.
    • 古河電工横浜研究所半導体研究センター Semiconductor R&D Center, Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd.,
    • 荒井 昌和 Arai M.
    • 東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター Microsystem Research Center, P&I Lab, Tokyo Institute of Technology
    • 池永 賀彦 Ikenaga Y.
    • 古河電工横浜研究所半導体研究センター Semiconductor R&D Center, Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd.,
    • 影山 健生 Kageyama T.
    • 古河電工横浜研究所半導体研究センター Semiconductor R&D Center, Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd.,
    • 熊田 浩仁 Kumada K.
    • 古河電工横浜研究所半導体研究センター Semiconductor R&D Center, Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd.,
    • 岩井 則広 Iwai N.
    • 古河電工横浜研究所半導体研究センター Semiconductor R&D Center, Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd.,
    • 濱 威 Hama T.
    • 古河電工横浜研究所半導体研究センター Semiconductor R&D Center, Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd.,
    • 清水 均 Shimizu H.
    • 古河電工横浜研究所半導体研究センター Semiconductor R&D Center, Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd.,
    • 西片 一昭 Nishikata K.
    • 古河電工横浜研究所半導体研究センター Semiconductor R&D Center, Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd.,
    • 粕川 秋彦 Kasukawa A.
    • 古河電工横浜研究所半導体研究センター Semiconductor R&D Center, Yokohama R&D Laboratories, The Furukawa Electric Co., Ltd.,
    • 小山 二三夫 Koyama F.
    • 東京工業大学精密工学研究所マイクロンステム研究センター Microsystem Research Center, P&I Lab, Tokyo Institute of Technology

Abstract

1.3μm帯GaInNAsSb VCSELのKファクタの検証を初めて行った.実験から得たKファクタは0.39nsecであり,最大変調帯域は23GHzと見積もられた.

The K-factor of 1.3μm-range GaInNAsSb VCSELs is presented for the first time. The maximum modulation bandwidth was estimated to be 23GHz from a measured K-factor of 0.39 nsec.

Journal

Technical report of IEICE. LQE   [List of Volumes]

Technical report of IEICE. LQE 104(162), 15-18, 2004-06-25  [Table of Contents]

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  10

You must have a user ID to see the references.If you already have a user ID, please click "Login" to access the info.New users can click "Sign Up" to register for an user ID.

Preview

Preview

Codes

  • NII Article ID (NAID) :
    110003306993
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID) :
    AN10442705
  • Text Lang :
    JPN
  • Article Type :
    ART
  • ISSN :
    09135685
  • NDL Article ID :
    7069277
  • NDL Source Classification :
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No. :
    Z16-940
  • Databases :
    CJP  NDL  NII-ELS 

Share