抄録
1.31μm/1.55μm帯兼用のフリップチップ実装用40Gbps導波路型PDの開発を行った。非対称導波路構造を用いることで,両波長帯に対して0.8A/W以上の高い感度が得られ,帯域も45GHz以上と良好であった。フリップチップ実装技術を用いて,ワイヤーの寄生インダクタンスを抑えたPDプリアンプモジュールを試作した結果,1.31μm,1.55μmの各入射光波長に対して,最小受信感度:-6.4dBm,-6.1dBmと両波長ともITU-T G693規格に準拠する特性が得られた。
We have developed 40Gbps waveguide-photodiode for flip-chip bonding. The high sensitivity over 0.8A/W has been realized by the asymmetric waveguide structure for 1.3μm and 1.55μm wavelength and high bandwidth over 45GHz has been obtained by Fe doped InP burying layer. PD-preamp modules fabricated flip-chip bonding technique, which can reduce the inductance of the bonding wire, have obtained the receiver sensitivity of -6.4dBm at 1.31μm and -6.1dBm at 1.55μm based on ITU-T G693
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