分布形FET送受切換えスイッチ  [in Japanese] Distributed Type FET T/R Switch  [in Japanese]

    • 茶木 伸 CHAKI Shin
    • 三菱電機株式会社光マイクロ波デバイス研究所 Optoelectronic & Microwave Devices R&D Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
    • 石田 修己 ISHIDA Osami
    • 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation, Information Technology R&D Center

Abstract

並列FETのみを分布定数線路の素子として構成する方式の分布形SPSTスイッチとハイブリッド結合器とを組み合わせた構成とすることによって広帯域化を図った送受切換えスイッチを提案し, その回路構成, FET定数とスイッチ性能との関係, および試作結果について述べている. まず, 送受切換えスイッチの基本要素であるSPSTスイッチについて, 適用可能なFETが与えられた場合における帯域幅と反射損, 挿入損, アイソレーション, 耐電力性能との関係式を求める. 次いで, この検討による関係式を適用した, SPSTスイッチの設計手順と設計例を示した上で, 簡易な等価回路を用いた計算によって, 広帯域でありかつ耐電力性能の良好なスイッチが実現できる可能性を示す. 試作の結果, 2オクターブ以上にわたって良好な挿入損特性が得られ, 入射電力28dBmまで性能劣化がなく, 更に入射電力33dBmにおいてもFETが破壊せず, 本構成の送受切換えスイッチの有効性を確認できた.

Journal

The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers   [List of Volumes]

The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers J79-C-1(8), 330-338, 1996-08-25  [Table of Contents]

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

References:  17

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Codes

  • NII Article ID (NAID) :
    110003307736
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID) :
    AN10071283
  • Text Lang :
    JPN
  • Article Type :
    ART
  • ISSN :
    09151893
  • NDL Article ID :
    4020389
  • NDL Source Classification :
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No. :
    Z16-607
  • Databases :
    CJP  NDL  NII-ELS 

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