ダブルパスポンピングによる半導体レーザ励起型準3準位Tm : YAGレーザの高効率化  [in Japanese] Efficient Operations of Diode-Pumped Quasi-Three-Level Tm : YAG Lase with Double-pass Pumping  [in Japanese]

Abstract

本研究では, 簡単な半導体レーザ励起型共振器構成を用いたダブルパスポンピング(double-pass pumping)法を提案し, 再吸収損失を示す準3準位Tm:YAGレーザの高効率化を図る.はじめに, 理論解析に基づきダブルパスポンピング下におけるTm:YAGレーザの最適動作条件について検討した.これらの理論的なアプローチに加え, ダブルパスポンピングおよびシンブルパスポンピング時における動作特性を実験的に比較した.この励起方法により, 発振しきい値の低下とスロープ効率の改善がなされ, その結果, 最大出力において1.3倍の高出力化が達成された.更に, これらの実験結果はシミュレーション結果ともよく一致した.

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The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers   [List of Volumes]

The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers J81-C-1(11), 634-641, 1998-11-25  [Table of Contents]

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

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Codes

  • NII Article ID (NAID) :
    110003307953
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID) :
    AN10071283
  • Text Lang :
    JPN
  • Article Type :
    ART
  • ISSN :
    09151893
  • NDL Article ID :
    4610196
  • NDL Source Classification :
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL Call No. :
    Z16-607
  • Databases :
    CJP  NDL  NII-ELS 

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