4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術

• 大津賀 一雄

• 倉田 英明

• 笹子 佳孝

Bibliographic Information

Other Title

• 4Gb AG AND フラッシュメモリ ニ オイテ 16MB s オ ジツゲン スル タチ コウソク カキコミ ギジュツ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 104 (248), 19-23, 2004-08-19

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• チャージシェア書込み方式
• セルフブースト書込み方式
• Flash Memory
• Multi-Level Technology
• Charge-Sharing Scheme
• Self-Boosting Scheme

Details

• CRID: 1520853832102739840
• NII Article ID: 110003316462
• NII Article ID: 110003309224
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 7090068
• NDL BIB ID: 7090307
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/7090068
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7090068
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/7090307
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7090307
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles