極薄誘電体膜の低電圧領域における直接トンネル電流の理論検討

• 松尾 直人

  山口大学工学部電気電子工学科

• 三浦 隆司

  山口大学工学部電気電子工学科

• 浦上 有紀

  山口大学工学部電気電子工学科

• 三好 正毅

  山口大学工学部電気電子工学科

書誌事項

タイトル別名

• Study of Direct Tunneling of Very Thin Dielectric Film in Low Applied Voltage

抄録

極薄誘電体膜の直接トンネリング(DT:direct tunneling)に関し、SimmonsがMIM(metal-insulator-metal)構造に対し、透過率のWKB近似、自由電子ガスモデルより求めた関数を基に、小さいフェルミエネルギーをもつ電極材料について、DT電流の理論検討を行う。更に、求められた理論式を極薄酸化・窒化・酸化(oxide-nitride-oxide:ONO)複合膜、極薄熱酸化膜の実測漏れ電流・印加電圧特性の低電圧領域にフィティングさせ、その妥当性を検討する。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 97 (446), 41-47, 1997-12-12

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 極薄誘電体膜
• 直接トンネリング
• フェルミエネルギー
• 低電圧領域

詳細情報

• CRID: 1571135652443021952
• NII論文ID: 110003309506
• NII書誌ID: AN10013254
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles