電界集中下における極薄酸化・窒化・酸化複合膜の電気伝導に関する量子力学的解析

• 松尾 直人

  山口大学工学部電気電子工学科

• 藤原 裕章

  山口大学工学部電気電子工学科

• 三好 正毅

  山口大学工学部電気電子工学科

書誌事項

タイトル別名

• Quantum Mechanical Analysis of Conduction Mechanism for Thin Oxide-Nitride-Oxide Films under Electric Field Concentration

抄録

不均一結晶粒径をもつ凹凸多結晶Si上に形成された極薄ONO複合膜の漏洩電流が,負の低電圧印加領域において,異常に増加する現象を直接トンネリングと仮定して,WKB近似解法による理論的解析を行った処,測定結果との厳密な一致は見られなかった.本論文では,第1に,WKB法において,フェルミエネルギーを考慮して,実測値とのフィティングを行った.低電圧印加領域において,漏洩電流増加率の計算結果は測定結果に一致した.多結晶Siの様に,フェルミエネルギーの小さい電極を用いる場合において,その効果を考慮する必要のある事が解った.第2に,シュレーディンガー方程式の数値解法により,電界集中下における波動関数,透過係数を計算した.電界集中がONO複合膜の直接トンネリングを活性にする事が解った.第3に本研究に用いたONO複合膜の様な,非対称二重障壁に電界集中を生じる場合の透過係数に関して議論した.共鳴ピーク値は,非対称性を反映し小さな値を示す.又,電界集中により共鳴トンネリングも活性化されると考えられる.

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 96 (395), 69-76, 1996-12-05

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 極薄ONO複合膜
• 電界集中
• WKB近似法
• 直接トンネリング
• 透過係数
• 非対称二重障壁
• 共鳴トンネリング

詳細情報

• CRID: 1574231877186606208
• NII論文ID: 110003309600
• NII書誌ID: AN10013254
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles