凹凸多結晶Si上の極薄酸化・窒化・酸化複合膜の低電圧領域での電気伝導に関する理論的考察

• 松尾 直人

  山口大学工学部電気電子工学科

• 藤原 裕章

  山口大学工学部電気電子工学科

• 三好 正毅

  山口大学工学部電気電子工学科

• 小柳 剛

  山口大学工学部電気電子工学科

書誌事項

タイトル別名

• Numerical Analysis for Conduction Mechanism of Thin Oxide-Nitride-Oxide Films Formed on Rough Poly-Si

抄録

減圧化学気相蒸着法により、不均一結晶粒径をもつ凹凸多結晶Si蓄積電極を作製し、その上に酸化・窒化・酸化複合膜、多結晶Siプレート電極を形成し、電流・電圧特性を調べた。漏洩電流が、プレート電極負電圧印加で、平板型のSTCと比較して、容量面積の比率以上に増加する。この現象を、隣接するグレイン間に形成されるプレート電極エッジ部分において電界集中を生じ、それが直接トンネリングを誘起すると仮定して理論解析をした。更に、キャパシター内のプレート電極エッジの曲率半径に正規分布を仮定して、漏洩電流を計算し、実測値と比較・検討を行った。有効質量を0.2m0、電界集中係数を1.2と仮定した場合、計算より求められた漏洩電流の増加率は、印加電圧が-2.0Vから-3.0Vの範囲で実測値にほぼ一致する。即ち、凹凸多結晶Siをもつキャパシターの漏洩電流がSTCとの容量面積比率以上増加する現象を説明できる。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 95 (399), 13-19, 1995-12-07

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• 酸化・窒化・酸化複合膜
• 凹凸多結晶Si
• 電界集中
• 直接トンネリング
• 正規分布

詳細情報

• CRID: 1573387452256764160
• NII論文ID: 110003309803
• NII書誌ID: AN10013254
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles