フラッシュメモリの信頼性

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タイトル別名
  • Reliability issues of Flash memory cells.

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抄録

フラッシュメモリの信頼性を各種書き込み消去方式で比較した。特に、トンネル酸化膜を通過するFowler-Nordheim(FN)トンネル電流によるトンネル酸化膜の劣化(トラップ,リーク電流の生成)とメモリセルの信頼性に評価した。書き込み・消去時にトンネル酸化膜に双方向のFowler-Nordheimトンネル電流を流す場合では、一方向に比べて、ストレスリーク電流が減少し、それに伴いデータ保持特性が向上しする。さらに、TDDB寿命も向上する。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573668927233476096
  • NII論文ID
    110003309890
  • NII書誌ID
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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